開關電源待機功耗怎么解決？

1.輸入零件損失
1.由脈沖電流引起的共模電感器T的內部電阻損耗增加
共模電感器的適當設計，包含線徑和匝數
2.放電電阻損失
在遵守安全法規的前提下，增加反放電組織
3.熱敏電阻丟失
在滿足其他指標的前提下，降低熱敏電阻的電阻

二，啟動損耗
一種常見的啟動方法，在啟動開關電源后，啟動電阻電路沒有斷開，這種損耗延續存在
改善方法：以恒定電流啟動，啟動后關閉啟動電路，以減少損耗。

3.和開關電源操作有關的損耗

四，鉗位電路的損耗

具有放電電阻，mos開關管每次切換都會產生放電損失
改進方法：如下圖所示，使用TVS鉗以幸免電阻放電損失（注意：此處只能減少電阻放電損失，而不能幸免由漏感能量引起的峰值損失）

當然，根本的改進是減少變壓器的漏感。

五，電源繞組損耗
電源芯片需要肯定的電流和電壓才能工作。 Vcc電源電壓越高，損耗越大。
改進方法：由于IC內部消耗的電流恒定，因此，在確保芯片處于安全工作電壓范圍內的同時，應完可能降低Vcc電源電壓！

VI。 變壓器損耗
因為待機期間的有效工作頻率特別低，并且電流限制通常很小，磁通變化很小，鐵芯損耗很小，并且對待機影響很小，但是繞組損耗可以忽略不計。
變壓器繞組損耗

繞組層之間分布電容的充放電損耗（當開關MOS截止時，分布電容充電；當開關MOS導通時，由放電引起的損耗）。
測試mos管的電流波形時，打開時會出現電流尖峰，這主要是由變壓器的分布電容引起的。

改善方法：增加繞組層之間的絕緣帶，以減小層之間的分布電容。

七，開關MOSFET的損耗
Mos損耗包含：傳導損耗，開關損耗，驅動損耗。 其中，待機狀態下的大損耗是開關損耗。
改進方法：降低開關頻率，使用變頻芯片或什至跳頻芯片（該芯片在無負載或極輕負載下進入間歇性振蕩）

8.整流器的汲取損耗
由輸出整流器上的結電容和開關狀態下的整流器汲取電容引起的峰值電流將反映在初級電路上，從而導致開關損耗。 其它，由于汲取電路上的電阻的充電和放電而引起的損耗。
改進方法：根據其他指標的規定，完可能減小汲取電容的電容，減小汲取電阻的阻值。
當然，整流器上存在開關損耗，傳導損耗和反向恢復損耗。 這應該選擇一個導通電壓降低且反向恢復時間短的二極管。

9.輸出反饋電路損耗

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